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芯品发布 | 山河数模发布DrMOS芯片 直击AI算力核心供电
2026-08-19
近日，山河数模正式推出半桥驱动DrMOS SH37X0系列产品，芯片内置60A/40A/20A多挡位大电流MOSFET，通过将半桥驱动与功率MOSFET高度集成，进一步完善公司计算供电类芯片产品矩阵，可为算力硬件、工业、车载供电等多元场景，提供高集成度的国产功率级解决方案。在AI、云计算、大数据技术高速迭代的当下，高算力产业蓬勃发展，高性能供电芯片已然成为保障各类算力设备稳定、高效运行的核心基石。
随着人工智能、云计算、大数据等技术的快速发展，数据中心和服务器的需求持续增长，DrMOS作为服务器和数据中心电源管理的核心组件，市场需求量巨大。据行业数据显示，单台AI服务器仅GPU主供电就需要128颗 DrMOS，整体总用量可达250颗以上，是传统服务器的4-5倍。以英伟达H100芯片为例，单颗芯片需要40至50颗DrMOS芯片协同工作，方可实现精准降压稳流、持续稳定供电。此外，笔记本电脑、显卡、工业控制设备等领域对DrMOS的需求也在不断增长，整体市场需求量呈持续上升趋势。
DrMOS（Driver-MOSFET）是一种高度集成化的电源管理芯片，通过将驱动IC（Driver IC）与功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）集成于单一封装内，兼具控制与功率转换双重核心能力。基于这一集成特性，山河数模SH37X0系列搭配控制器可实现12V输入、sub-1V精准输出，完美匹配服务器、AI推理卡、AI一体机等高性能处理器的供电标准，充分满足高算力应用低压、大电流、高稳定性的严苛供电要求。
在技术架构上，SH37X0系列将半桥驱动器与大电流MOSFET高度集成于单颗芯片，可直接替代传统“半桥驱动IC+外置MOSFET”的分立式功率架构。不仅大幅提升系统集成度，还能有效减少外围元器件数量，缩减PCB板占用空间、降低电源系统设计难度，为服务器及各类高功率密度应用场景，打造更高效、更紧凑、更可靠的国产化供电解决方案。
功能特点
1. 高度集成功率设计：集成MOSFET，实现更紧凑的功率级方案设计。
2. 低导通损耗特性：上管Rdson支持2.1/3/5毫欧，下管Rdson支持0.75/1/2毫欧，优化功率转换效率。
3. 宽输入电压与高耐压能力：支持4.25V-16V输入电压范围，耐压能力高达30V，峰值可承受35V。
4. 灵活输出电压支持：支持0.225V-5.5V输出电压范围，满足不同处理器供电需求。
5. 高频开关能力：支持最高2.1MHz工作频率，为高功率密度电源设计提供支持。
6. 精准温度监测：内置高精度温度传感器，温度检测灵敏度达到8mV/℃。
7. 完善保护机制：内置Cycle-By-Cycle过流检测及High-Side短路检测功能，提升系统运行可靠性。
8. 灵活PWM控制接口：支持PWM Tri-State输入，并兼容3.3V逻辑电平。
9. 紧凑型封装设计：采用5mm × 6mm × 0.9mm QFN封装，有效优化PCB空间利用率。
应用场景
1. 服务器核心供电
2. AI推理卡 / AI加速卡
3. AI一体机
4. GPU / DPU / ASIC / FPGA / SoC核心电源
5. 处理器供电模组/Sip模组
6. 高密度服务器VRM / POL电源
若您需要了解SH37X0系列芯片的技术参数、申请样品，欢迎随时咨询，苏州山河数模将为您提供专业的技术支持与全方位贴心服务！
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